wyniki I terminu

chmurli

l: eit.polsl
p: polibuda

haha no niezly pogram, a mialo byl lajtowo Very Happy

. kurde trzeba sie pouczyc bo inaczej tego sie nie przejdzie ;/

CHRIS

Wie ktoś na podstawie czego niektórzy byli klasyfikowani do egzaminu ustnego?

Maklas

pewnie prawie sie udalo zdac ale czegos zabraklo Razz

wandam

robert_bytom

ad.4. Nie, ponieważ wtedy złącze kanał-bramka zacznie przewodzić i zniknie obszar zubożony, więc będzie niemożliwe sterowanie szerokością kanału i w związku z tym prądem drenu (element nie będzie pracował jako tranzystor polowy).

ad.6. Prąd drenu jest sterowany w zakresie od zera (odcięcie) do wartości Idss (maksymalny prąd drenu przy Ugs = 0).

ad.11. Parametry ze wzoru na prąd drenu tranzystora E-MOSFET: Id = K*(Ugs-Ugs(th))^2. Współczynnik K [A/V^2] oraz napięcie otwarcia kanału Ugs(th).

dziadu

ktoś wie kiedy wpisy??

gorush

a mozecie wpisac te odpowiedzi ?

Gość

kiedy jest tan ustny egzamin ?

noxon

pewnie w trakcie drugiego terminu, tj 27.06

bacikos

ma ktos wogle pojecie jak ten ustny ma wygladac co nas bedzie pytac czy jak to wygladalo w tamtym roku bo czarno to widze .... Confused

gregory441

a ja slyszalem ze ustny z ee bedzie raczej przed drugim terminem czyli poniedzialek albo wtorek, jesli komus nie pojdzie to idzie w srode na pisemny. informacje te nie sa pewne w stu procentach ale warto je wziasc pod uwage.
dla tych co ida na ustny sugeruje byc przygotowanym juz na poniedzialek;]

xaver

ile było na 3???

bern

w poniedziałek jest PTC Sad

ludzie, ja myśle że on nas zrozumie i we wtorek nam każe przyjść, bo to inaczej to jak sie mam przygotować jak "dziergam" zadanka z PTC ?? Sad

Gość

a odpowiedz na pytanie 15 ?
czy tranzystory E-MOSFET moga pracowac w trybie zubozania kanalu ? uzasadnij odp.

robert_bytom

Nie może pracować w trybie zubożania, bo kanał fizycznie nie istnieje i nie ma czego zubożyć. Można tylko dostaczyć nośników odpowiednio polaryzując bramkę, żeby kanał powstał, więc tranzystor będzie pracował tylko w trybie wzbogacania.