Egzamin - FAQ :]

kohlet

w tym slajdzie strzałki pokazują że 0,44 to jest właśnie to co sie wbuduje a reszta (to co narośnie) to 0,56 a nie 0,66 Wink

Dominik

racja ;x zmyliło mnie położenie tego indeksu ;p bo strzałki rzeczywiście pokazują że 0.44 to ta warstwa wbudowana

czeladzian

Egzamin ma być w formie testu a,b,c czy opisowy? Mówił coś Waczynski na ten temat?

Madafak

Mowil ze bedzie bardziej opisowy z uzupelnianiem obrazkow itp Very Happy

KuKocz

czeladzian

na 2 terminie zaliczenie było o ile dobrze pamiętam od 90%. 3 termin dal opisowy 66 pytań.

czeladzian

Gdzie i kiedy maja być wyniki ktoś się orientuje?

rafandynka

dzis na platformie, ok 12.

lonti84

takie pytanie: czy te listy co są na platformie to są kompletne listy grup czy to są tylko osoby które pisały pierwszy termin?? bo jak wszyscy to nawet sporo osób zdało Smile

a drugie pytanie: miałby ktoś opracowany pierwszy termin? zaoszczędziło by to czasu tym co jeszcze tego nie zdali

dzięki bardzo

dyru

[link widoczny dla zalogowanych]
tu jest rozwiazane przez mnie ... napewno cos jest nie tak, w rubrykach z punktami napisalem ile dostalem za to punktow (np w pytaniu 7 dostalem 4 pkt i tyle tez tam jest napisane )
jak cos to poprawiac

rob

Pytanie 10: nazwy procesów
nie wiem czy to się dokładnie tak nazywa, ale wydaje mi się, że J2 to będzie "narost tlenku krzemu"; J3 "cofanie podłoża" nie wiem co to jest J1 - może ustalanie? Nie mam pojęcia co to miało by znaczyć.
Pytanie 14: Odczytać z wykresu długości fal i na tej podstawie napisałem jakie mogą być najmniejsze szczeliny maski. a=12lambda, gdzie 'a' to właśnie szerokość szczeliny a 'lambda' to oczywiście długość fali. Chodzi tu o zjawisko dyfrakcji fali na szczelinie maski. I tak np. nie da się robić wyraźnych konturów na szczelinach mniejszych niż ok 1.2um stosując fotolitografię, ale za to wystarczy strumień cząsteczek o energii 10eV, który nie penetruje materiału, bo jest na to "za słaby".
Za to stosując protony w procesie jonolitografi jesteśmy w stanie używać maski o szczelinach nawet 1.2pm uzyskując jeszcze wyraźne kontury, tyle że musimy "przywalić" w materiał wiązką o energii 100keV penetrując tym samym materiał.
Te rozważania dotyczą metody kontaktowej i zbliżeniowej - czyli kładziemy maskę na materiał i ona ściśle przylega do niego lub jest nieco oddalona. Stosując metodę projekcyjną możemy zastosować maskę zrobioną w skali 4 do 10 razy większą od rzeczywistych rozmiarów a rzutnik to pomniejsza do obrazu o żądanej wielkości.
Tyle zrozumiałem z prezentacji Wink

pozdr.

rob

A! pytanie 18:
Tam jest pytanie o "domieszkowanie materiału półprzewodnikowego" Ja bym zapytał jaką metodą, bo jeśli chodzi o "domieszkowanie dyfuzyjne" to jest to nie możliwe, bo SiO2 jest używane jako warstwa maskująca, zabezpieczająca przed domieszkowaniem. Jeśli natomiast np. implantacja jonów jest odmianą domieszkowania to wtedy się da a profil koncentracji domieszki będzie wyglądać jak w pytaniu 15 (Cmax dla Rp).

leon

dla porownania na maila roku wrzucam swoj egzamin

Lepikur

Ma ktoś 2 termin examinu z TM'a? ...czy wogóle ktos byl ogladac prace? oddawal Wam te examiny czy zostawial je u siebie?

Grzesiek

Prosiłbym o kontakt osoby, które są jeszcze zainteresowane zdaniem TM, a do tej pory jeszcze nie zdały.